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薄膜工頻介電常數(shù)測(cè)試儀北京供應(yīng)商

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產(chǎn)品型號(hào)GDAT-A

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介電常數(shù)測(cè)試儀GDAT-C

介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

高頻/音頻介電常數(shù)測(cè)試儀

塑料、絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀

玻璃纖維介電常數(shù)測(cè)試儀

北廣絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀

GDAT高頻介電常數(shù)測(cè)試儀

陶瓷介電常數(shù)介質(zhì)損耗儀

玻璃介電常數(shù)測(cè)試儀

北廣工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

高壓電橋介電常數(shù)測(cè)試儀

工頻介電常數(shù)測(cè)試儀

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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

1.平板電容器極片尺寸：φ25.4mm極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，0.01mm2.園筒電容器電容量線性：0.33pF / mm0.05 pF長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，0.01mm3. 夾具插頭間距：25mm1mm4. 夾角損耗角正切值：≤410－4（1MHz時(shí)）

詳細(xì)介紹

介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置，標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行

高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及

IEC60250規(guī)范要求。

GDAT 系列介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz～1MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介

電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。

GDAT系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用高頻阻抗分析

儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗

值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

1 特點(diǎn)：

◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。

◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～10⁵

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測(cè)試。
2.1.2 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～10⁵，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

型號(hào)	GDAT-S
工作頻率范圍	20Hz～1MHz 數(shù)字合成，精度：±0.02%
電容測(cè)量范圍	0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯
電容測(cè)量基本誤差	±0.05%
損耗因素D值范圍	0.00001～9.99999 六位數(shù)顯

高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：

在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

GDAT系列 介電常數(shù)測(cè)試儀配置

配置類(lèi)型	標(biāo)準(zhǔn)型
電橋工作頻率范圍	20Hz～1MHz 精度：±0.02%
配置型號(hào)	高頻阻抗分析儀三電極測(cè)試裝置
介電常數(shù)范圍	1-100 精度：±2%
損耗因素D值范圍	0.00001～9.99999 六位數(shù)顯