GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)是在橫電磁波室(TEM室)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種新型電磁兼容測試設備(采用非對稱矩形結(jié)構(gòu)模擬自由空間在小室內(nèi)部產(chǎn)生TEM電磁波),滿足IEC61000-4-3、GB/T17626.3標準測試要求。
采用GTEM進行電磁兼容性測試是近年來國際電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項新的測量技術(shù)。由于GTEM的寬頻帶特性(從直流到微波),既可用于電磁輻射敏感度試驗(EMS試驗,有時也稱抗擾度試驗),又可用于電磁輻射試驗(EMI試驗),而且所用儀器(相對在電波暗室中做試驗來說)有配置簡單、成本便宜和可用于快速和自動測試的特點,所以越來越受到國際和國內(nèi)有關(guān)人士的重視。其中尤以對待小設備的測試,GTEM測量方案是性能價格比的測試方案。
技術(shù)參數(shù):
? 頻率范圍:DC 0~2GHz
? 輸入阻抗:50Ω±5Ω(典型值:50Ω±2Ω)
? 電壓駐波比:≤1.7(典型值:≤1.5)
? 輸入功率:1000W
? 電場強度范圍:0.01-200V/m(根據(jù)輸入功率大小)
? 同軸接頭:L16(N型)
? 外型尺寸:4m×2.5m×2m

小室場均勻性特性(滿足0~6dB場均勻性要求)
GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng):

圖1 GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)
系統(tǒng)軟件:計算機中配標準的GP-IP接口卡,通過專用IEEE-488電纜與智能場強計聯(lián)接。采用主控計算機并配置必要的系統(tǒng)軟件,可完成對智能場強計與標準信號源的同步控制,實現(xiàn)整個測試系統(tǒng)的自動化操作。
信號發(fā)生器:是帶有GP-IB接口的信號源。它同樣可進行脫機或聯(lián)機操作。聯(lián)機時,接受計算機的指令,進行相應操作。
功率放大器: 對信號源的信號進行放大,并送至GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)內(nèi)形成所需的場強值。
場強探頭:測量GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)內(nèi)的電場強度,并將場強信號的電平值(模擬信號)通過專用插頭與電纜送至智能場強計進行處理。
場強監(jiān)視儀: 接受測試探頭輸入的模擬信號,對信號進行處理,在液晶屏幕上顯示GTEM室內(nèi)探頭位置上的場強值。智能場強可獨立于計算機而進行操作(通過面板的按鈕,詳見使用說明);也可通過GP-IB(IEEE-488)接口與計算機聯(lián)機處理。
GTEM:吉赫芝橫電磁波室。它接受放大器的輸出信號后形成所需的電場。場強的大小可由測試探頭測出。
GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖:

圖2 GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖
吉赫芝橫電磁中心處的電場強度為:

E:電磁場強度的垂直分量
Po: 饋至赫芝橫電磁波室的射頻功率
Rc: 吉赫芝橫電磁波室的特性阻抗
d: 芯板與上下板之間的垂直距離
從式中可見較小赫芝橫電磁波室的芯板與上、下底板間的尺寸,可獲得較大的場強值。
系統(tǒng)實物圖如下:

圖3 GTSI 射頻電磁場輻射抗擾度試驗系統(tǒng)實樣參考圖