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H5160高純氣體分析儀

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產(chǎn)品型號(hào)H5160

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高純氣體/超痕量雜質(zhì)分析

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H310動(dòng)態(tài)稀釋配氣儀 H310i動(dòng)態(tài)稀釋配氣儀 H310(C)多組份氣液混合動(dòng)態(tài)配氣系統(tǒng) H320(A)稀釋通道采樣器 H320(B)稀釋通道采樣器 H330分流采樣控制器

詳細(xì)介紹

華翼H5160高純氣體分析儀，配備了增強(qiáng)型等離子體檢測(cè)器（Enhanced Plasma Detector，EPD）。EPD的原理是在檢測(cè)器的石英小池周圍加以高頻、高強(qiáng)度的電磁場(chǎng)，在高頻、高強(qiáng)電磁場(chǎng)的作用下載氣和雜質(zhì)氣體被電離為等離子體，等離子體具有較高的能量，當(dāng)樣品進(jìn)入檢測(cè)器的石英小池之后，被等離子體電離并發(fā)出不同波長(zhǎng)的光，經(jīng)相應(yīng)的濾光片及光電二極管后轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，因此，相比于痕量分析中常用的PDHID檢測(cè)器，EPD選擇性更好，靈敏度更高，另外，EPD可以選擇氬氣等相對(duì)低成本的載氣種類，維護(hù)成本低于PDHID。

EPD提供了更好的信噪比以及更高的電離效率，是現(xiàn)有等離子體發(fā)射檢測(cè)器（Plasma Emission Detector，PED）的升級(jí)換代版本的優(yōu)勢(shì)在于其聚焦/穩(wěn)定和電子注入電極技術(shù)，以及高度穩(wěn)定的頻率控制系統(tǒng)。目前其他商品化PED存在的主要缺陷是穩(wěn)定性差，表現(xiàn)在三個(gè)方面：一是等離子體在常壓下的不穩(wěn)定性；二是等離子體石英池內(nèi)表面的電荷聚集效應(yīng)；最嚴(yán)重的是石英池內(nèi)表面、尤其是放電電極附近的位置，受長(zhǎng)時(shí)間濺射效應(yīng)的影響，會(huì)逐漸粗糙化，導(dǎo)致色譜峰的拖尾/展寬，進(jìn)而靈敏度減低，而EPD所采用的技術(shù)在上避免了上述缺陷。

穩(wěn)定技術(shù)

PED（現(xiàn)有等離子技術(shù)）和EPD基線噪音的對(duì)比

技術(shù)特點(diǎn)：

●操作自動(dòng)化程度高，用戶只需按動(dòng)一次啟動(dòng)鍵，即可完成樣品分析。

●采用了加拿大ASDevices公司的增強(qiáng)型EPD檢測(cè)器，該檢測(cè)器對(duì)性氣體雜質(zhì)的檢測(cè)限可達(dá)1 PPB。

雜質(zhì)種類		H₂	O₂	N₂	CH₄	CO	CO₂
檢測(cè)限（ppb）	氦載氣	1	1	1	1	1	1
檢測(cè)限（ppb）	氬載氣	5	5	5	5	5	5

●選用經(jīng)特殊處理的色譜柱，消除了色譜柱對(duì)O2、CO等痕量組分的非正常吸附現(xiàn)象。

●所采用的進(jìn)樣閥及切換閥均為進(jìn)口帶吹掃功能的產(chǎn)品，在保證儀器耐用性的同時(shí)，消除了空氣滲漏對(duì)樣品分析結(jié)果的影響。

●所有的接頭及管線均經(jīng)過(guò)拋光處理，且接頭處經(jīng)高精度加工處理，一是為防止氣體泄漏，二是將系統(tǒng)死體積降至，三是減小某些痕量組分的吸附。另外，色譜柱兩端的密封方式為VCR密封，其他接頭均采用鍍金卡套密封，泄漏量比普通卡套形式低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

●采用背壓閥控制的升壓進(jìn)樣方式，能夠消除進(jìn)樣波動(dòng)并獲得相對(duì)較高的分析靈敏度。

●所有管線，包括色譜柱管，均為進(jìn)口產(chǎn)品，保證管壁光潔度。

●儀器配備有專用的載氣減壓器、進(jìn)口載氣純化器及采樣器，保證分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。

●可配備我公司的氧氬分離組件，用于分析氬氣之外樣品氣中氧及氬含量，尤其在分析高純氧中雜質(zhì)含量時(shí)，無(wú)需采用脫氧裝置，能夠大大減少設(shè)備維護(hù)工作量。

譜圖樣例：

氦氣中H2、O2、N2、CH4、CO（均為1 ppm）