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晶體生長(zhǎng)爐

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真空燒結(jié)爐

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

一·設(shè)備用途：主要用于LED行業(yè)的藍(lán)寶石晶體制備

詳細(xì)介紹

一·設(shè)備用途：

主要用于LED行業(yè)的藍(lán)寶石晶體制備。

二·設(shè)備特點(diǎn)：

本設(shè)備采用分體模塊化設(shè)計(jì)，立式底出料結(jié)構(gòu)，爐體，真空系統(tǒng)，電控系統(tǒng)分別模塊化式設(shè)計(jì)，現(xiàn)場(chǎng)三大模塊按照平面布置圖拼接組合起來(lái)，不用每樣都分別拆分組裝，安裝方便快捷，***整潔大方。

三·主要技術(shù)參數(shù)

1.**加熱溫度： 1800℃

2.功率： 80Kw±10%單相整流
2.冷態(tài)極限真空度： ≤5×10E-**a

3.壓升率： ≤2Pa/h
4.爐體尺寸： Ф750×1065mm（直徑×高）

5·工作尺寸： Ф320×300

6.測(cè)溫系統(tǒng)：熱電偶

7.控溫精度： ±0.1℃，采用歐陸溫控儀表

8.加熱區(qū)：一區(qū)

9.坩堝升降參數(shù)：位移行程 400mm

慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

快速升降50-200mm/min（伺服控制）

10.底出料參數(shù)：位移行程 850mm