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杭州華盼科技有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號MRS-3/MRS-3RT
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地杭州市
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更新時間：2023-08-23 22:32:44瀏覽次數(shù)：155次
聯(lián)系我時，請告知來自 紡織服裝機(jī)械網(wǎng)簡要描述：武漢嘉儀通 MRS-3/MRS-3RT薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)專門針對薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測量，測溫范圍達(dá)到81K~700K，采用動態(tài)法測量Seebeck系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)產(chǎn)品特點
專門針對薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測量。
測試環(huán)境溫度范圍達(dá)到81K~700K。
采用動態(tài)法測量Seebeck系數(shù)，避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差，測量更準(zhǔn)確。
采用四線法測量電阻率。
熱電偶探針經(jīng)過嚴(yán)格的篩選配對保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確和穩(wěn)定。
軟件操作簡單，智能化可實現(xiàn)全自動模式。
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)測試實例
標(biāo)準(zhǔn)鎳帶測試結(jié)果
東華大學(xué)MoS2測試結(jié)果
MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結(jié)果（電工研究所提供樣品）
MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結(jié)果（電工研究所提供樣品）
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
| 型號 | MRS-3 | MRS-3RT | |
| 環(huán)境溫度 | 81K~700K | RT | |
| 溫控方式 | PID程序控制 | / | |
| 真空度 | ≤ 1Pa | / | |
| 測試氣氛 | 真空 | 空氣 | |
| 測量范圍 | 澤貝克系數(shù)：S ≥ 8µV/K； 電阻率：0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m | ||
| 分辨率 | 澤貝克系數(shù)：0.05µV/K； 電阻率：0.05µΩ•m | ||
| 相對誤差 | 澤貝克系數(shù) ≤ 7%，電阻率 ≤ 5% | ||
| 測量模式 | 自動 | ||
| 樣品尺寸 | 長 x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm | ||
| 主機(jī)尺寸 | 采集箱：470x400x140，單位mm | 170x250x220，單位mm | |
| 重量 | 31.9kg | 3.5kg | |
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)樣品要求
樣品滿足上述樣品尺寸，待測面需平整，薄膜均勻性好，保證與銅片接觸良好
薄膜材料厚度可至100nm，其均勻性有較高要求，薄膜厚度達(dá)到微米級別較好
薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜，如玻璃、Si等材料
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)原理
動態(tài)法：測量Seebeck系數(shù)
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的Seebeck系數(shù)。
采用四線法測量電阻率。
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