原子層沉積技術(shù)以精準(zhǔn)控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱(chēng)，廣泛應(yīng)用于集成電路（IC）行業(yè)，它使得電子器件持續(xù)微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導(dǎo)體領(lǐng)域的必要技術(shù)。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。緊湊型原子層沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)為全自動(dòng)的安全互鎖設(shè)計(jì)，并提供了強(qiáng)大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統(tǒng)擁有一個(gè)載氣艙包含4個(gè)50ml的加熱源，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時(shí)帶有N2作為運(yùn)載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

詳細(xì)介紹

原子層沉積技術(shù)以精準(zhǔn)控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱(chēng)，廣泛應(yīng)用于集成電路（IC）行業(yè)，它使得電子器件持續(xù)微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導(dǎo)體領(lǐng)域的必要技術(shù)。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。
緊湊型原子層沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)為全自動(dòng)的安全互鎖設(shè)計(jì)，并提供了強(qiáng)大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統(tǒng)擁有一個(gè)載氣艙包含4個(gè)50ml的加熱源，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時(shí)帶有N2作為運(yùn)載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

ALD原子層沉積設(shè)備特點(diǎn)

·不均勻性低于1%；
·陽(yáng)極氧化鋁腔體；
·小反應(yīng)腔體容積確保快速的循環(huán)時(shí)間并提高質(zhì)量；
·可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驅(qū)體源；
·高深寬比結(jié)構(gòu)的保形生長(zhǎng)。

技術(shù)參數(shù)

設(shè)備尺寸：800X800X495mm
4英寸及以下兼容基片
3D 復(fù)雜表面襯底
多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
樣品加熱50-260℃，精度±1℃
前驅(qū)體及管路：液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)，加熱溫度室溫~180℃
標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝