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FIB-SEM三束系統(tǒng) NX2000

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

追求的TEM樣品制備工具在設(shè)備及高性能納米材料的評(píng)價(jià)和分析領(lǐng)域，F(xiàn)IB-SEM已成為的工具。近來(lái)，目標(biāo)觀察物更趨微細(xì)化；更薄，更低損傷樣品的制備需求更進(jìn)一步凸顯。日立高新公司，整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù)，再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam®＊1（選配）技術(shù)，推出了新一代產(chǎn)品NX2000運(yùn)用高對(duì)比度，實(shí)時(shí)SEM觀察和加工終點(diǎn)檢測(cè)功能，可制備厚度小于20 nm的超薄樣品加工方向控制技術(shù)（Micro-sampling®...

詳細(xì)介紹

概述

產(chǎn)品參數(shù)

追求的TEM樣品制備工具

在設(shè)備及高性能納米材料的評(píng)價(jià)和分析領(lǐng)域，F(xiàn)IB-SEM已成為的工具。
近來(lái)，目標(biāo)觀察物更趨微細(xì)化；更薄，更低損傷樣品的制備需求更進(jìn)一步凸顯。
日立高新公司，整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù)，再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam®＊1（選配）技術(shù)，推出了新一代產(chǎn)品NX2000

運(yùn)用高對(duì)比度，實(shí)時(shí)SEM觀察和加工終點(diǎn)檢測(cè)功能，可制備厚度小于20 nm的超薄樣品
加工方向控制技術(shù)（Micro-sampling®＊3系統(tǒng)（選配）+高精度/高速樣品臺(tái)＊）對(duì)于抑制窗簾效應(yīng)的產(chǎn)生，以及制作厚度均一的薄膜類(lèi)樣品給予厚望。
Triple Beam®＊1（選配）可提高加工效率，并能使消除FIB損傷自動(dòng)化

產(chǎn)品參數(shù)

項(xiàng)目	內(nèi)容
FIB鏡筒
分辨率	4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速電壓	0.5～30 kV
束流	0.05 pA ～ 100 nA
FE-SEM鏡筒
分辨率	2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速電壓	0.5～30 kV
電子槍	冷場(chǎng)場(chǎng)發(fā)射型
探測(cè)器
標(biāo)準(zhǔn)検出器	In-lens 二次電子探測(cè)器/樣品室二次電子探測(cè)器/背散射電子探測(cè)器
樣品臺(tái)	X：0 ～ 205 mm Y：0 ～ 205 mm Z：0 ～ 10 mm R：0 ～ 360°連續(xù) T：-5 ～ 60°