深圳海創(chuàng)德科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 為克服器件制造的設(shè)備空間限制，矽碁科技開發(fā)出適合2英寸晶圓的小型半導(dǎo)體制造平臺(tái)-MiniLine，配置靈活，占地面積小，運(yùn)行成本低
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詳細(xì)摘要： 手動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)適用于本科生教學(xué)，研究生科研訓(xùn)練，也可以應(yīng)用于科研工作
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詳細(xì)摘要： 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)技術(shù)作為一種新興顯示技術(shù)，具有器件輕薄、可視角度大、柔性顯示、節(jié)省電能等優(yōu)勢(shì)，已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域
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詳細(xì)摘要： 磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)(PhysicalVaporDeposition,PVD)的一種
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詳細(xì)摘要： 矽碁超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)采用國(guó)際UHV配件及金屬密封件，本底真空可達(dá)到10-9~10-10Torr量級(jí)
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詳細(xì)摘要： 多工位磁控濺射鍍膜機(jī)可同時(shí)放置多片基片，適應(yīng)研發(fā)線或中試線的小批量生產(chǎn)
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詳細(xì)摘要： 對(duì)傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)的材料蒸發(fā)，可采用電子束蒸發(fā)(E-beamEvaporation)的方式來實(shí)現(xiàn)
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詳細(xì)摘要： 立式線性連續(xù)磁控濺射適用于大尺寸基板產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)，設(shè)備由進(jìn)樣室，濺鍍室，出樣室和基片傳遞機(jī)構(gòu)組成，可實(shí)現(xiàn)連續(xù)鍍膜，廣泛應(yīng)用于顯示器件及光伏電池薄膜的開發(fā)及生...
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詳細(xì)摘要： 利用優(yōu)異保溫效果的坩堝實(shí)現(xiàn)有機(jī)物材料的穩(wěn)定蒸發(fā)，同時(shí)借助超高精度的石英晶振達(dá)到蒸發(fā)速率的確控制，矽碁科技可提供性能穩(wěn)定的有機(jī)物蒸發(fā)鍍膜機(jī)，主要用于有機(jī)物材料驗(yàn)證...
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詳細(xì)摘要： 把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程，稱為真空蒸發(fā)鍍膜，簡(jiǎn)稱蒸發(fā)鍍膜或蒸鍍
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詳細(xì)摘要： 低壓化學(xué)氣相沉積(LowPressureChemicalVaporDeposition,LPVD)是指在較低氣壓下環(huán)境進(jìn)行薄膜沉積，可進(jìn)行大面積小批量樣品沉積
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詳細(xì)摘要： 化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition,CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程，廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、氮化...
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詳細(xì)摘要： 電感耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(ICPChemicalVaporDeposition,ICPVD)利用ICP線圈將反應(yīng)氣體高度離化，是的CVD可以在高溫下...
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詳細(xì)摘要： 特殊的腔體設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)，可以使得ALD技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)量產(chǎn)，并且可以提高鍍膜效率
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詳細(xì)摘要： 熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(HotWireAssistedChemicalVaporDeposition,HWCVD)是指在加熱絲輔助的條件下進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積，適...
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詳細(xì)摘要： 矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點(diǎn)為用戶開發(fā)了PECVDPEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導(dǎo)體工藝中的薄膜封裝
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詳細(xì)摘要： 反應(yīng)離子刻蝕(ReactiveIonEtching,RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓，通過產(chǎn)生的等離子體對(duì)樣品進(jìn)行化學(xué)和物理刻蝕
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詳細(xì)摘要： CIGS薄膜太陽能電池具有光吸收能力強(qiáng)，發(fā)電穩(wěn)定性好、轉(zhuǎn)化效率高，白天發(fā)電時(shí)間長(zhǎng)、發(fā)電量高、生產(chǎn)成本低以及能源回收周期短等諸多優(yōu)勢(shì)，已成為新型太陽能電池的熱點(diǎn)發(fā)...
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1使用高亮度的P22熒光材料(ZnS/Ag)
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：1電子槍能量范圍：5eV~1000eV
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